耐壓測試可以非常簡單以及怎樣優(yōu)化多點耐壓測試。但是，您的產品應該如何進行崩潰點測試呢？或者是說您的產品耐壓極限在哪里？這些問題的重要性在于耐壓測試不僅僅是為了遵守安規(guī)標準的要求，還可以透過該測試找到絕緣崩潰點，進而發(fā)現(xiàn)潛在的絕緣問題。通常的安規(guī)標準規(guī)定使用高達5kVac或6kVdc的耐壓測試電壓進行測試，但在檢測這些絕緣問題時，有時需要使用超出法規(guī)的超高測試電壓進行全面檢測。除了測試電壓之外，測試時間也是一個關鍵因素。這些測試關鍵都有一個共同的目標：了解并確保產品擁有高安全性和高質量。在本文中，我們將分享一些使用華儀電子的超高壓測試解決方案進行超高壓測試的實際案例。

電池儲能系統(tǒng)超高壓測試需求增加

電池儲能系統(tǒng)（BESS）市場正快速成長，歸功于該系統(tǒng)能夠有效地將能源儲存起來以供日后使用，確保電力供需之間的平衡。通常，儲能系統(tǒng)中所使用的電池組都需要經過1kV至4kV的直流耐壓測試，測試方法主要是在電池組的正負極對外殼施加電壓。然而，隨著電池應用和容量不斷進步，對于更高安全和質量標準的需求也不斷增加。近期，我們注意到有越來越多的BESS客戶來咨詢有關超高壓測試的解決方案。這種耐壓測試所使用的電壓將提升至20kVdc，能夠更加全面的評估電池組的絕緣完整性。我們曾經有一位客戶使用高的測試要求對他們的產品進行質量測試，主要是透過型式測試參數(shù)來評估產品的絕緣極限，這意味著進行60 秒的20kV直流耐壓測試。通常在這種情況下，我們會假設如果在初始的20秒內沒有出現(xiàn)故障跡象，那么在測試結束時會通過。然而，有趣的是，我們觀察到在測試進行到 30 秒到 40 秒之間時，電池組被判定了測試失敗。這突顯了測試時間對于確保高水平的安全和質量至關重要。

半導體組件的嚴苛檢測

半導體組件被廣泛應用于電動車和計算機等行業(yè)。在這些組件中，絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 閘極驅動器發(fā)揮著相當重要的角色。它們負責隔離高電壓、防止短路，并保持精確的開關速度，同時大限度地降低損壞風險。因此，在設計IGBT閘極驅動器時，必須特別謹慎，需要考慮隔離能力、電氣間隙和爬電距離等因素。通常情況下，耐壓測試會要求IGBT閘極驅動器使用其額定隔離電壓進行測試，以驗證其承受高壓的能力。此外，為了遵守 UL 1577 標準，具有雙重絕緣保護設計的組件還需要使用20 kV直流電壓進行放電測試。然而，許多制造商也會使用60秒的超高壓測試，以精確確定在多少電壓下會發(fā)生擊穿或崩潰。這種嚴格的測試方法有助于發(fā)現(xiàn)設計缺陷和其他潛在問題，確保產品的質量超出所需標準。

確保導熱墊片的質量

并不是每個人都知道導熱墊和絕緣片是什么，但是他們在MOSFET、IC、LED、筆記本電腦等各種電子產品中其實發(fā)揮著重要的作用。這些產品非常的薄，因此對于制造商來說要檢查其絕緣質量或目視發(fā)現(xiàn)產品上的瑕疵是一件具有挑戰(zhàn)的事情。有效的方法是將它們放置在金屬表面上，并利用高壓擊穿技術來檢測細微孔洞或厚度變化。因此，我們的客戶會對該產品施加20kV的高壓，以確保為客戶提供高質量的產品。

確保手工具絕緣安全

手工具種類繁多，常用于各行各業(yè)和居家修繕等，這些工具大多數(shù)不需要絕緣。然而，在可能帶有高達1000Vac或1500Vdc的帶電工作環(huán)境中，手工具的絕緣則需要特別注意與設計，以確保工人使用上的安全。這些帶有絕緣的工具使用各種絕緣方法使其沒有任何暴露的導電點，包括由導電材料制成的部件、部分由被絕緣的材料所覆蓋，或由導電材料制成。為了滿足國際標準IEC EN 60900，這些工具需要能夠承受1kVac或1.5kVdc的電壓。然而，為了確保產品的安全，業(yè)界普遍采用10kVac測試電壓。常見的測試方法是將工具浸入電池中以評估其絕緣性并識別任何有缺陷的工具。

華儀電子提供多種耐壓測試解決方案。其中，7470系列耐壓測試儀以其超高壓性能而著稱。該系列耐壓測試儀經過精心設計，具有多種配置，可執(zhí)行交流耐壓或直流耐壓測試，并提供了10kV至20kV的交流和直流測試電壓選項，不僅符合行業(yè)標準，還能夠滿足各種耐壓測試的需求。

華儀（EEC）授權代理商：蘇州威銳科電子有限公司

我們的優(yōu)勢：華儀、是德、泰克、日置、海思、固緯、安柏、艾德克斯、普源、同惠、鼎陽、艾諾等

訂購信息：

7470    交流耐壓測試儀（AC  10kVac/20mA）

7472    直流耐壓測試儀（DC   12kVdc/10mA）

7473    交流耐壓測試儀（AC  20kVac/10mA）

7474    直流耐壓測試儀（DC   20kVdc/5mA）